寿命是半导体材料的一种属性,描述在复合达到平衡前,剩余载流子存在在半导体材料中的平均时间.同样的参数也被称为”少数载流子寿命”,”载流子寿命”, 和”复合寿命”.完美晶格和无污染的半导体寿命会很长, 任何掺杂或者污染会降低半导体的寿命.因此,监控寿命是探测污染的最好的方法之一.

·       检测

o   由重金属污染和过渡金属污染引起的杂质

o   晶体缺陷

o   CZ和FZ硅片中的铁浓度的测定

·       无硅片厚度限制

·       快速测量速度:20 硅片/时(4400点)

·       高水平分辨率(低至0.5mm)

·       要求表面钝化：热氧化，化学钝化或者电荷充电

测量寿命最广泛的方式是通过一种叫微波光电导的技术（µ-PCD）。

许多Semilab的产品都包含了µ-PCD测量技术。WT-2000通过台式系统提供半导体硅片的寿命测量图。WT-2500使用FOUP或者敞开的片盒可以测试12寸（300mm）的硅片。Semilab的 WT-2000MCT测量寿命作为窄带半导体温度的函数。