深能级瞬态谱 DLTS

因为沾污的原因,很多半导体材料具有电学活化缺陷(通常被称为陷阱),而深能级瞬态谱对于研究这些缺陷来讲是一个强大的工具。因为需要在一块小样品上制作肖特基结或者PN结,通常需要将完整的晶圆切开,因此DLTS是一种破坏性的测试技术


通过施加反偏脉冲,多数载流子陷阱可以被观察到。相对地,施加正向偏置脉冲,可以观察到到少数载流子陷阱。

该技术的基础在于,一个二级管从初始的非平衡状态回到平衡状态,其耗尽层的深度会发生变化,对应地去观测电容瞬态的变化。

电容瞬态随温度的变化关系(通常从30K到室温300K或者更高)会被测得。通过使用锁相放大技术,特定发射速率随温度的函数会被以峰的形式找到。然后对不同频率下的发射速率以及对应峰值温度的收集整理,可以得到Arrhenius图,并进一步推算出陷阱的能级位置。通过改变脉冲宽度,还可以用来对俘获截面进行精确测试。

瑟米莱伯的DLTS系统有DLS-83DDLS-1000两种,另外根据客户需求由瑟米莱伯提供相应的控温系统。



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