CV

电容电压技术基于以下方式:半导体结型器件在反偏电压下空间电荷区的宽度会随着所加电压的变化而变化,这种空间电荷区宽度随电压的变化关系是整个CV技术的核心。


电容电压(C-V)测试被广泛应用于半导体参数的测定,特别是MOSCAPMOSFET结构。然后,其它类型的半导体器件和技术也可以通过CV测试来获得相关参数,比如双极型晶体管(BJTs)、JFETsIII-V化合物半导体器件、光电池、MEMs器件、有机TFT显示器、光电二极管、纳米碳管(CNTs),以及很多其它的器件。

通过适当的方法、仪器和软件,大量半导体器件和材料的参数能够被推导出来,这些信息被应用于整个生产链评估中。比如在晶体外延生长工艺中,相关的参数包括平均掺杂浓度、掺杂分布,以及载流子寿命等。在晶片工艺中,CV测试又可以揭示氧化层厚度、氧化层电荷、可动离子(沾污),以及界面态密度等信息。这些测量还会被用于其它的工艺步骤,比如光刻、刻蚀、清洗、介电层和多晶硅沉积,以及金属化制程。当晶片上的器件最终完成后,在可靠性、器件基础以及定义这些器件性能的测试中,CV还可以被用于测试阈值电压以及其它的一些参数。



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