ECV-3000全自动弹性探针系统是带扫描测试功能的高频电容-电压测试分析系统,它兼容3寸, 4寸, 5寸, 6寸, 8寸和12寸硅片。与传统的汞探针系统采用汞接触方式测试不同,ECV采用硬度比硅更小的记忆合金作为探针,当探针与样品表面接触时变形的是探针而非样品,避免了传统测试的玷污和破坏样品。同时ECV的测试原理与汞CV相同,也保证了测试结果与传统测试结果的一致性。
ECV有两种测量模式:肖特基和MOS。肖特基测量模式是测量硅外延层载流子浓度的有效方法,其重复性小于1%(1σ)。该模式也是测量复合半导体材料(如:SiC, GaN, InP, GaP)载流子浓度的有效手段。MOS模式采用包裹着氧化层的弹性金属探针来形成MOS电容结构,节省了制作MOS样品的复杂流程,所以能够快速监控介电常数、离子注入参数、氧化层电荷、载流子产生寿命和氧化层的可靠性。
样品正面向上,非沾污非损伤测试 |
记忆合金作为接触电极,硬度小于硅 |
接触面积达到微米级别,小于传统测试,可直接测试带图形产品 |
工业化设计,符合SEMI各项标准 |
应用面广,适合半导体、液晶等不同行业 |
与传统汞CV相同原理,测试结果一致性好 |
硅及化合物半导体外延电阻率监控 |
CVD工艺监控 |
扩散工艺监控 |
电阻率测试范围:0.2 to 330 Ohm-cm (p), 0.1 to 100 Ohm-cm (n) |
去边尺寸: 1 mm |
测试点精准度: ±100 μm |
重复性: <1% |
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