LST-300A是专门用于测量硅材料体微缺陷分布及浓度的设备。该测试方法的主要特点是快速测试,高分辨率。 |
采用红外激光垂直入射到靠近硅片解理面边缘,通过CCD相机沿解理面搜集体微缺陷散射的红外光,生成图片,通过分析图片即可得到硅材料体微缺陷的信息。 |
快速测试; |
很高的深度分辨率; |
能够探测极小尺寸的体微缺陷; |
测量和分析DZ洁净区; |
全自动完成半硅片传送及测试; |
会对解理面自动对焦。 |
测量Si,Ge等的体微缺陷; |
最小探测尺寸: 12nm |
深度分辨率: 0.5um |
环境要求: 23°C±3°C;1°C/hour |
洁净条件: 1000级 |
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