RT-110 半导体晶片电阻率测试仪
(Wafer Resistivity Tester)

产品描述

RT-110 半导体晶片电阻率测试系统能够测量硅片体电阻率和厚度,具有快速、无接触和无损等特点,可以应用于未抛光或抛光片、单晶或多晶、以及圆片和方片等。

涡流法:交变电磁场会在邻近的导体中产生环形电流(涡流)。导体的导电性能对涡流具有直接的影响:导电性越好,涡流越大。因此测量交变电磁场与邻近导体相互作用,就可以测得样品的导电性能。该方法具有非接触、无损、测量速度快等优点。


电容法:电容法厚度测量的基本原理就是平板电容器模型。由于晶片是导电的,平板电容器之间有无硅片的存在会导致平板电容器电容的变化。依据这个原理,就可以通过测得的电容计算出硅片的厚度。
表面光电压法:通常情况下,无论何种型号的半导体,表面都被自然氧化层覆盖,其表面处于耗尽状态。因此半导体材料的表面势垒的极性也表征了材料类型。表面势垒的极性可以通过一种非接触式表面光电压的测量方法测得。PN型号是由光照射产生的表面势垒的变化的极性推得的。

产品特点

快速、无接触、无损伤
可测试样品的任何位置
可测量抛光或未抛光、圆片和方片的单多晶材料
无需样品预处理 
全自动测试及数据评估

主要应用

可以用来检测硅/锗片的质量、质量控制和工艺监控
可测量任意工艺加工步骤后的半成品太阳能电池片

主要技术指标

电阻率:          0.5~20 ohm.cm (可选配0.01~0.5 ohm.cm)
测试时间:        1s/数据点
测试点直径:      15mm
电阻率测试准确性: 0.5~15 ohm.cm      ±5%
                  15~20 ohm.cm       ±10%
           选配: 0.01~0.5 ohm.cm    ±5%
                  <0.01 ohm.cm       ±15%   
电阻率重复性:     3%
厚度测试范围:     200μm~2mm
厚度测试准确性:   <1000μm           ±2%
                  1000~2000μm       ±1%
厚度重复性:       2%
测试点直径:   15mm

技术关键词

应用关键词



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