PV-2000A 硅片/电池片测试仪
(PV-2000A Wafer/Cell Scanner)

产品描述

Semilab的PV-2000A是目前功能最先进的、用于晶硅太阳能电池片生产和光伏研发的非接触电学表征系统。该系统采用手动或自动方式,可以对从硅片开始到最后的电池片成品之间任何一个工艺步骤进行无接触检测监控。
PV-2000A具有最新的PV检测技术。这些新技术也可以与Semilab现有的一些技术有机地集成在一体。在这些新技术中,有些以前只用于IC制造。

PV-2000A可供客户选择的选配中包含的测试技术有:准稳态微波光电导衰减少子寿命测试(QSSμ-PCD)、SPV测试技术(可测量体扩散长度(体寿命)、Fe含量、表面钝化指数等)、非接触CV测试(VQ)、方阻测试、钝化效果等。


产品特点

目前太阳能行业最先进的检测设备
多功能检测设备,功能可以覆盖太阳能行业各个工艺段的检测需要
将一些以前只用于半导体测试的技术应用到了光伏行业中

主要应用

准稳态微波光电导衰减法
表面光电压法测量扩散长度
铁含量扫描测试
非接触CV测试
加速光致衰退
方阻测量
非接触电池片参数测试

主要技术指标

表面光电压 扩散长度:1-4倍厚度
Fe含量:2E9-1E14
其他复合中心(不含Fe):2E9-1E14
光致衰退(BO2缺陷):2E9-1E14
无接触CV 表面势垒(Vsb):-800-+800
氧化物电压(Vox):- 60-+ 60
平带电压:- 60-+ 60
氧化物总电荷:5E9-5E13
界面陷阱中的电荷:1E10-1E13
界面陷阱中的电荷密度:3E10-5E13
氧化物厚度:30-10,000
场效应钝化 外加电荷范围:-2E13-+ 2E13
表面钝化至饱和所需电荷:-1E13-+ 1E13
准稳态少子寿命 有效少子寿命:0.1µs-30 ms
稳态少子寿命:50µs-30 ms
有效表面复合速率:1-5E3
注入光强:0-25 
开路电压:600-750
发射极饱和电流:10-2000
发射极快速表征 钝化指数:0-1
并联电阻:指数
无接触方阻 方阻:10-1000
光诱导电流 扩散长度:1-2000

技术关键词

应用关键词



©2009,Semilab.All rights reserved|沪公网安备 31011502002770号 | 沪ICP备12039253号