GES5E 全光谱椭偏仪
(Spectroscopic Ellipsometer)

产品描述

GES5E全光谱椭偏仪基于椭圆偏振测试技术,采用先进的旋转补偿器,结合光纤专利技术将偏振光信号传输至分段光谱优化的高分辨率单色仪或阵列式多通道摄谱仪,测得线偏振光经过样品反射后的偏振态变化情况,并通过样品光学模型的建立,计算出单层或多层薄膜结构的厚度、折射率和消光系数,实现精确、快速、稳定的宽光谱椭偏测试。

GES5E是Semilab针对科研院所和企业研发中心推出的多功能桌面

型旗舰产品。为了满足科研院所及研发中心对于复杂薄膜材料和复杂多层薄膜结构的综合型测试需求,GES5E采用了模块化的设计,可自由组合多种扫描和真空变温样品台,多种从135nm深紫外光谱至2400nm近红外光谱的探测器,多种测试光斑尺寸,并可拓展FTIR红外光谱测试模组、EPA薄膜孔隙率测试模组、涡电流法非接触方块电阻测试模组、Mueller Matrix各项异性材料测试模组、Raman结晶率测试模组、反射干涉测试模组、透射率和反射率测试模组等多种功能,为方便用户合理配置,Semilab支持绝大部分模组的后续升级服务。

产品特点

业界第一家光谱型椭偏仪测试设备厂商
业界标准测试机构定标设备,参与发布中华人民共和国椭圆偏振测试技术标准
非接触、无损测试所测样品无损伤的测量
业界最宽测试光谱范围,选配135nm-25um,并可自动切换快速探测模式和高精度探测模式
测试功能延展性强,并支持后续升级服务
定期免费升级SOPRA材料数据库
开放光学模型拟合分析过程,方便用户优化测试菜单

主要应用

光伏行业:晶硅电池减反膜、薄膜电池透明导电膜、非晶硅微晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、有机电池、染剂敏感太阳能电池
半导体行业:High-K、Low-K、金属、光刻工艺、半导体镀膜工艺、外延工艺
平板显示行业:TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色滤光片
光电行业:光波导、减反膜、III-V族器件、MEMS、溶胶凝胶

主要技术指标

测试速度:<1 sec (快速测试模式)
               <120 sec (高分辨率测试模式)
测量光谱分辨率:<0.5nm@633nm (高分辨率测试模式)
                        <0.8nm@633nm (快速测试模式)
最大样品尺寸: 300mm
厚度测量范围:0.01nm-50um
厚度测试精度:0.02nm @120nm SiO2 on Si
折射率测试精度:0.002 @120nm SiO2 on Si

技术关键词

SE

应用关键词

外延层监控


©2009,Semilab.All rights reserved|沪公网安备 31011502002770号 | 沪ICP备12039253号