详细信息|相关产品介质层质量表征

Semilab 能提供多种表征介质膜层质量的解决方案。
我们的VQ测量技术能够用在WT-2000, WT-2500 和 WT-3000 平台上,可以测量一下一些特征参数。
Tox  氧化层电学厚度
Vfb 平带电压
Dit 界面态密度
Qm 移动电荷
Vox 氧化层电压
Qeff 有效电荷
Etunnel 隧穿电场
Vsurf 表面电压
Vtunnel 隧穿电压


Semilab SDI的SL(产品的测试区域) 测量技术是目前世界上首创以及唯一能够在产品上非接触式测量电学C-V 和 I-V的技术。测量能够在30um x 30um的测试区域或芯片激活区域内完成, 芯片的直接在线电学表征能够用来监控和制程相关的一些参数,最主要的应用包括测量SiO2, SiN2,先进的high-K 和low-K 介质。

Semilab SDI专利的SASS测量技术提供非接触的I-V测量,他的范围能够涵盖漏电流的3个量级,这种独特的测量技术使得用户能直接通过探头测得的价带和导带的 差值获取许多额外的信息而不需要借助传统的MOS测量手段。通过联用一些非接触的加电荷处理方法, SDI专利的 SILC 测量技术使得能够非接触的评估GOI和薄膜的耐压质量。

Semilab SDI特有的C-V测量技术能够在一两分钟内生成一个精确带有漏电修正的C-V曲线. 智能化的软件能够自动提取出介质带电量和界面态等参数,这种方法已经成功应用在先进的6Å左右的超薄膜上,这种基于电荷的测量技术优于传统的MOS测量方 法:EOT提取使用独特的模拟方法能在比较宽的范围内提供介质膜和界面的精确数据,专利的Q-Q测量方法用来测量界面态密度能提供整个硅带宽内的陷阱分 布。
  
Semilab SDI的COCOS和移动电荷技术可以通过整面硅片的电荷沉积来控制电场,可以取代传统的MOS C-V,而且是非接触的实时在在线产品监控。专利的移动电荷测量能进行整面硅片的扫描,这对于污染控制非常重要,并且能够定量出Na和Cu的含量。


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