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详细信息|相关产品沾污监控
半导体中的金属沾污会对器件性能产生不利影响。随着线宽的减少，器件对金属沾污的容忍度也越来越小。元素周期表中间部分的重金属与左列部分的碱金属是最常见的金属沾污元素。
碱金属沾污对氧化层的影响要大于对体硅的影响，我们会在相关网站的氧化层监控应用章节中看到很多类似的讨论。重金属铁是至今为止最常见的“元凶”，比起在氧化层中的含量，它更易于在半导体材料中扩散。通过分析少子寿命或者扩散长度的变化，重金属就可以被检测出来，因为这些杂质在半导体的能带隙中制造了新的能态。
元素周期表下方圈起来的元素也可以通过分析少子寿命或者扩散长度的测量值来进行检测.(图表中这些圈起来的化学元素在文献中有提及到，因为这些元素造成的沾污同样能够通过分析少子寿命和扩散长度测测量值来进行检测。)
少
子寿命的测量通常使用一种称之为微波光电导的测试技术，而扩散长度的测量则通常使用表面光电压的测试技术。这两种技术都是基于沾污能够在半导体材料的能带
隙产生新的能态的基础之上。这些能态的存在会使得过剩载流子失去必要的能量或者动量，从而提高从导带回到价带的机率。回到价带机率的提高导致了更短的复合
时间(少子寿命)和更短的扩散长度。
一些重金属沾污，像铁、铜和铬，在硅体中能够以不止一种的分
子态存在。例如，在P型硅中铁能以间隙铁Fei和铁硼对Fe-B的方式存在。不同的分子态产生不同的能态，从而会对少子寿命和扩散长度产生不同的影响。如
果一种沾污能够以两种分子态存在，并且存在唯一的工艺可以将分子态从一种情况转换为另一种情况---这种工艺仅仅对沾污产生影响---那么就可以通过少子
寿命或者扩散长度的降解确定沾污为何种元素。进一步来讲，通过比对转换前后少子寿命或者扩散长度的差异，不仅能够确定元素种类同时可以进行量化。瑟米莱伯
在沾污铁的测量能力方面表现优异。
WT-2000通过基座系统能够对半导体硅片惊醒少子寿命和扩散长度的测量，并可以提供扫描图形。WT-2500与WT-2000类似，不同的是可以通过选配料盒系统通过FOUP平台测量，最大可以测量300mm的硅片。
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