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平板阵列制造部门需要使用化学气相沉积设备(PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )来制备绝缘薄膜,包括SiO2、SiNx,SiON等不同的薄膜。绝缘层的质量和厚度与器件的最终电学表现密切相关。对于CVD薄膜的测试,我司提供有如下的解决方案:

1. 全光谱椭偏仪(Spectroscopic Ellipsometry)薄膜厚度、折射率及消光系数的测试

2. 汞探针C-V/I-V测试 

3. IRSE对氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化氮化硅(SiNx:H)薄膜中H含量的测试 



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